蚌埠半导体研发项目可行性研究报告_模板范本.docx

泓域咨询/蚌埠半导体研发项目可行性研究报告 报告说明 刻蚀设备用硅材料经下游客户加工制成刻蚀用硅部件，装配进入刻蚀设备腔体，最终应用于芯片制造刻蚀工艺。硅电极表面有密集微小通孔，在晶圆制造刻蚀环节，硅电极除了作为附加电压的电极，还作为刻蚀气体进入腔体的通路；硅环是支撑硅电极及其他相关零件的承载部件，保证等离子干式刻蚀机腔体的密封性和纯净度，同时对硅晶圆边缘进行保护。 根据谨慎财务估算，项目总投资1079.54万元，其中：建设投资796.88万元，占项目总投资的73.82%；建设期利息9.84万元，占项目总投资的0.91%；流动资金272.82万元，占项目总投资的25.27%。 项目正常运营每年