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同济大学模拟电子技术期末试卷(二).docxVIP

同济大学模拟电子技术期末试卷(二).docx

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    PAGE PAGE 3 同济大学模拟电子技术期中试卷前六章基础内容 一、选择题。 （每题 3 分，共 36 分） 在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度。 大于 B.小于 C.等于 D.不定 使用万用表直流电压挡 ,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图 2 所示,从而可判断出该晶体管工作在 。 饱和状态. B.放大状态 C.截止状态 D.倒置状态 共模抑制比 K 是 之比. GMR 差模输入信号与共模输入信号 B．输出量中差模成分与共模成分 C．差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值) D．交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值) 差动放大电路的主要优点是 。 A、稳定

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