2023年MOSFET(MOS管)行业现状与投资分析报告.pdf

2 0 2 3 - 2 0 2 5 年M O S F E T ( M O S 管) 行业现状与投资分析报告 汇报人 ：张振群 日期 ：2022-12-21 目 录 01 行业发展概述 02 行业环境分析 03 行业现状分析 04 行业格局及趋势 2 01 P a r t O n e 行业发展概述 行 业 定 义 行 业 发 展 历 程 行 业 产 业 链 3 行业定义 MOSFET ，又称MOS、MOS管 ，全称为 MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应 晶体管 ，即以金属层 （M）的栅极隔着氧化层 （O）利用电场的效应来控制半导 体 （S）的场效应晶体管。根据工作载流子的极性不同，功率MOSFET可进一步 分为N沟道型 （NMOS）与P沟道型 （PMOS），两者极性不同但工作原理类似 ， 在实际电路中采用导通电阻小、制造较容易的N沟道型MOSFET。MOSFET具有 三个电极 ，分为源极 （Source）、漏极 （Drain）以及栅极 （Gate），通过控制 栅极所加电压可控制源极与漏极之间的导通与关闭。以N沟道MOSFET为例 ，当 G、S极之间的电压为零时，D、S之间不导通 ，相当于开路 ，而当G、S极之间的 电压为正且超过一定界限时，D、S极之间则可通过电流 ，因此功率MOSFET在 电路中起到的作用近似于开关。 4 行业发展历程 高速发展期 （2014年至今） 成长期 （1970-1980年） 关于栅极氧化物的厚度 ，当时业界普遍认为3nm是极限，低于 该数值时则出现隧穿现象。2016年 ，IBM利用强度更大的背光 20世纪60年代后期 ，MOSFET开始采用多晶硅栅 注入技术成功地制造出了厚度4nm、栅长6nm的MOSFET ，是 极电极。70年代初 ，多晶硅栅极在高温掺杂扩散时 目前世界上能够实际运行的 “最小”的MOSFET。为实现器件 形成源-漏极区域的标志 ，从而让源极/漏极和栅极 进一步的缩小与集成 ，MOSFET在纳米级别还在现基础上进一 电极 自行对齐 ，使MOSFET尺寸不断缩小成为了可 步向更小尺寸发展。为突破物理极限，当前国际各科研团队在 能。在此背景下 ，MOSFET开始被用于LSI电路的 新材料特殊属性基础上研发 ，试图制造出更高性能更低功率更 制造 ，如内存和微处理器