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模拟电路基础 复习资料 一、填空题 在P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。 在N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。 当PN 结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。 当PN 结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。 为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。 根据理论分析，PN 结的伏安特性为 I ? I S  U (e UT ? 1) ,其中 I S  被称为（ 反向饱和 ） 电流，在室温下U T 约等于（ 26mV