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本实用新型公开了一种用于单晶生产中降低单晶隐裂的装置,包括一个单晶下方的缓冲装置(1),缓冲装置(1)包括相互配合的上圆盘(11)、下圆盘(12)和缓冲弹簧(13),上圆盘(11)的中部设有一个圆孔(11a),上圆盘(11)与下圆盘(12)相互平行,缓冲弹簧(13)竖直连接在上圆盘(11)的下表面与下圆盘(12)的上表面之间。本实用新型的优点是可以降低反切效率,减少单晶隐裂数量,提高单晶品质和产量。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218115662 U
(45)授权公告日 2022.12.23
(21)申请号 202222227204.1
(22)申请日 2022.08.24
(73)专利权人 包头美科硅能源有限公司
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