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模拟电子技术与实训期末考试试题
一 、 填 空 题 （ 每 空 1 分 ， 共 35 分 ） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为（ 0.5 ），导通后在较大电流下的正向压降约为（ 0.7 ）；锗二极管的门槛电压约为（ 0.1 ），导通后在较大电流
下的正向压降约为（ 0.2 ）。
PN 结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止 ），所以 PN 结具有（ 单向 ） 导电性。
漂移电流是（温度 ）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（ 温度 ） 有关，而与外加电压（ 无关 ）。
整流电路是利用二极管的（ 单向导电 ）性，将交流电变为脉动直流电。稳压二极管是利用二极管的（ 反向击穿 ）特性
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