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模拟电子技术基础中的常用公式 模拟电子技术基础中的常用公式 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： i I D R (sat) u DT(eV 1) D T 电压当量，与热力学温度成正比，表示为 V T = kT/q其中 T 为热力学温度，单位是式中，iD 电压当量，与热力学温度成正比，表示为 V T = kT/q其中 T 为热力学温度，单位是 K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.38×110-23J／K 。 室温下，可求得 V T = 26mV。IR(sat是) GS0102 直