第2章半导体器件物理 -总结.pptVIP

西北工业大学·电子信息学院 西北工业大学·电子信息学院 第二章 总结 模拟电子技术基础 * * 本章小结 1. 二极管 漂移电流：在电场的作用下，自由电子会逆着电场方向漂移，而空穴则顺着电场方向漂移，这样产生的电流称为漂移电流，该电流的大小主要取决于载流子的浓度，迁移率和电场强度。 扩散电流：半导体中载流子浓度不均匀分布时，载流子会从高浓度区向低浓度区扩散，从而形成扩散电流，该电流的大小正比于载流子的浓度差即浓度梯度的大小。 半导体中电流由载流子定向运动产生。　　 半导体中载流子进行定向运动的原因： 漂移运动（电场造成）+扩散运动（载流子浓度差造成） * 　　通过掺杂工艺，一边做成 P 型半导体，另一边做成 N 型半导体，则 P 型半导体和 N 型半导体的交接面处会形成一个有特殊物理性质的薄层，称为 PN 结。 N区的多子（电子）的浓度 P区少子（电子）的浓度 P区的多子（空穴）的浓度 N区少子（空穴）的浓度 浓度差！！！ * ? PN结形成 因浓度差 ? 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 ? 多子的扩散和少子的漂移达