第2章半导体器件物理 .pptVIP

* §1.6 结型场效应管 * 回顾 正向偏置 （耗尽区变窄） 多子扩散运动加强，少子漂移运动减弱 正向电流 反向偏置 （耗尽区变宽） 少子漂移运动加强，多子扩散运动减弱 反向电流 内建电场减弱 内建电场增强 * 一、工作原理 饱和电流 IDSS 夹断电压UGS(off) 栅极电流 IG ? 0 输入阻抗很大 UGS增大?导电沟道变窄?ID减小 * 二、输出特性 恒流区(| uGS | ? | UGS(off) |且| uDG | = | uDS - uGS | | UGS(off) | ) uGS和iD为平方率关系。预夹断导致uDS对iD的控制能力很弱。 可变电阻区(| uGS | ? | UGS(off) |且 | uDG | | UGS(off) |) uDS的变化明显改变iD的大小。 截止区(| uGS | | UGS(off) |) iD = 0 * 三、转移特性 预夹断 * * 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 1. 输入特性 (1) 当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当uCE≥0V时， uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 iE iB iC * 2. 输出特性 放大区：iC平行于uCE轴