物理基础课件-偏振光的干涉.pptVIP

利用偏振光干涉看到的结冰过程 * 利用偏振光干涉看到的结冰过程 * 利用偏振光干涉看到的结冰过程 * 利用偏振光干涉看到的结冰过程 * 利用偏振光干涉看到的结冰过程 演示完 * 四、偏振状态的检验 第一步：用偏振片旋 观察出射光强变化 将5种偏振态分成3组 线偏振光 自然光 圆偏振光 部分偏振光 椭圆偏振光 * 第二步： 用四分之一波片区分圆偏振光和自然光 用四分之一波片区分椭圆偏振光和部分偏振光 椭圆偏振光 思考： 如何保证四分之一波片的光轴与产生椭圆偏振光的波片光轴平行或垂直？ 会出现消光现象 * §5　人工双折射 一、应力双折射 二、电致双折射 三、磁致双折射 * 人为地造成各向异性 而产生双折射 一、应力双折射(光弹效应) 应力→各向异性 在一定应力范围内： P1 P2 ? · · d F S F 干涉 有机玻璃 C → v 各向不同 → n各向不同 * 各处 不同→各处 不同→出现干涉条纹 变→ 变→干涉情况变 模型的光弹图象 钓钩的光弹图象 演示 * 二、电致双折射(电光效应) 1.克尔效应(二次电光效应) 45? P2 盒内充某种液体 如硝基苯（C6H5NO2） l + - 克尔盒 d P1 45? 不加电场→液体各向同性→P2不透光 加电场→液体呈单轴晶体性质 光轴平行电场强度方向? P2透光 * 由于折射率改变与电场强度是平方关系故克尔效应也叫二次电光效应 k — 克尔常数 U — 电压 相位差为： 此时对应的电压U 叫半波电压 P2透光最强 克尔盒相当于半波片 折射率改变与电场强度的关系是: 当 * 2.泡克尔斯效应(一次电光效应) 。 电光晶体 + 。 - P1 P2 K K? 泡克尔斯盒 · · 不加电场→ P2 不透光 加电场→晶体变双轴晶体 →原光轴方向附加了双折射效应 →P2 透光 电场与光传播方向平行 透明电极K和K′ 光沿光轴方向传播 单轴晶体 * no— o光在晶体中的折射率 相位差： r — 电光常数 时 P2 透光最强 常用的电光晶体是 KH2PO4（KDP） NH4H2PO4（ADP）等 U —电压 激光调Q 超高速开关（响应时间小于10-9s） 数据处理… 显示技术 应用： * 偏振光的干涉 一、典型装置 二、线偏振光通过波晶片后的偏振状态 三、相干区 干涉强度 四、 偏振状态的检验 * 一、典型装置 波晶片: 光轴平行于入射表面的晶体薄片 两个正交的偏振片 记做 三个元件表面平行 自然光正入射 * ? ? 在上述装置下 令单色自然光正入射 分析各区光的偏振状态 起偏器P后是线偏振光 线偏振光经波晶片C后偏振态?强度? 检偏器A后的偏振态?强度? * 二、线偏振光通过波晶片后的偏振状态 3) o 光 e 光的光程差 结论: 1)o 光 e 光传播方向相同 同一点源发出的o 光 e 光不分开 2) o 光 e 光振动方向垂直 o ? 光轴 e ? ? 光轴 可以用光轴来说明o e光 振动方向 线偏振光与入射面有一夹角 * 4) 线偏振光通过波晶片后的偏振状态 两个同频率的 振动方向垂直的 有确定相位差的 S. H. V. 的合成 一般 合成光矢量端点的轨迹是椭圆 但 每时刻都是线偏振光 所以 称为椭圆偏振光 光轴 * 特殊1 若晶片厚度合适 使 o 光 e 光的光程差为?/4波长 相位差是 正椭圆偏振光 圆偏振光 如果再让 该波晶片叫四分之一波片 * 特殊2 若晶片厚度合适 使 o 光e 光的光程差为?/2波长 称该波晶片为二分之一波片(或称半波片) 经二分之一波片后 o光e 光相位差为 ? 合成为线偏振光 相位差是 * 线偏振 在 ?/2片前 过 ?/2片后 仍是线偏振 旋转了 2?角 ?/2片 注意: ?/2波片 ?/4 波片 必须指明波长 1 3象限的振动 2 4象限的振动 * · ? ? 5 ) 推论 由上述分析知 圆和椭圆偏振光可看成是两束 频率相同 传播方向一致 振动方向相互垂直 相位差为某个确定值的线偏振光的合成 同样 线偏振光可看成是两束 频率相同 相位相同 振幅相同 传播方向亦相同的 左 右旋 圆偏振光的合成 * 三、 相干区干涉强度 相干区 相干光的振幅 * 相干光光程差 由波片厚度引进的是 在该装置中 两光经