半导体PN结的物理特性及弱电流测量实验.pdfVIP

word 半导体 PN 结的物理特性与弱电流测量实验 【实验目的】 1．在室温时，测量PN 结电流与电压关系，证明此关系符合指数分布规律。 2．在不同温度条件下，测量玻尔兹曼常数。 3．学习用运算放大器组成电流-电压变换器测量弱电流。 4．测量PN 结电压与温度的关系，求出该 PN 结温度传感器的灵敏度。 5．计算在0K 温度时，半导体硅材料的近似禁带宽度。 【实验原理】 1．PN 结伏安特性与玻尔兹曼常数测量 由半导体物理学可知，PN 结的正向电流-电压关系满足：   I I exp( eU / kT ) 1 (1) 0 I I T e 式中 是通过 PN 结的正向电流， 是反向饱和电流，在温度恒定是为常数， 是热力学温度， 是