半导体中光子-电子的互作用.pdfVIP

第1 章 半导体中光子-电子的互作用 1.1 半导体中量子跃迁的特点 在光电子学中，一切与光有关的现象从本质上都可以认为是量子现象，或者说是物质 中有关量子互作用和能量相互转换的结果，都是与量子跃迁联系在一起的。与通常两能级 系统中跃迁发生在分立能级的单个电子态之间的情况不同，在半导体中与光有关的量子（电 子或空穴，并统称为载流子）跃迁发生在导带与价带之间。与这种跃迁相联系的光现象有 以下三种。 （1）受激吸收：当适当能量的光子与半导体互作用，并把能量传递给价带中的电子，使 之跃迁到导带，从而在半导体中出现电子-空穴对，这就是受激吸收，也是光电导、光探测器 的工作原理，如图1.1-1(a)所示。 （2 ）自发发射：在热平衡下，如果在半导体的导带与价带中分别有一定数量的电子与 空穴，导带中电子以一定的几率与价带中空穴复合并以光子形式放出复合所产生的能量， 则称这一过程为自发发射跃迁，这是半导体发光二极管 （LED ）的工作原理，如图 1.1-1(b) 所示。即使在半导体激光器中也可能存在一定比例的自发发射分量。 图1.1-1 在半导体中与跃迁有关的三种光效应 （E 为跃迁初态