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目 录
1、 前道缺陷检测:良率的关键 4
、 缺陷检测:半导体晶圆制造的“眼睛” 4
、 明场检测与暗场检测:系统原理大相径庭 4
、 无图形晶圆与有图形晶圆:检测方法有所不同 5
、 明场检测的技术难度与系统复杂程度更高 7
2、 前道缺陷检测设备市场规模广阔 8
、 半导体设备持续增长,有图形晶圆检测前景广阔 8
、 海外垄断程度较高,KLA 龙头地位稳固 10
、 国内设备公司:初露锋芒,后起直追 10
3、 重点公司分析 11
、 精测电子:明场缺陷检测设备取得突破性订单 11
、 上海睿励:深耕前道量检测,产品填补国内产业链重要空白 13
、 中科飞测:主打晶圆缺陷检测设备,交付多条主流产线应用 14
4、 风险分析 16
图目录
图 1:镜面反射与明暗场检测基本原理 4
图 2:明场检测(左)与暗场检测(中:成像法,右:非成像法)示意图 5
图 3:无图形晶圆的缺陷检测 6
图 4:美国 KLA 公司 Surfscan SP1 缺陷检测系统原理图 6
图 5:有图形晶圆的缺陷检测 7
图 6:典型明场光学缺陷检测设备的光路原理 7
图 7:2013-2021 年全球及中国半导体设备市场规模(亿美元) 8
图 8:2014-2021 年全球及中国半导体设备市场增速(%) 8
图 9:2021 年半导体设备细分市场规模(百万美元)及占比(以销售额计) 9
图 10:2016-2022 年中国前道量检测设备市场规模(亿美元) 9
图 11:2021 年前道量检测设备细分市场规模占比(以销售额计) 9
图 12:2021 年前道量检测设备进一步细分占比(以销售额计) 9
图 13:2021 年全球前道量检测设备竞争格局(以销售额计) 10
图 14:精测电子 2016-2021 年营业收入(亿元) 12
图 15:精测电子 2016-2021 年归母净利润(亿元) 12
图 16:精测电子 2016-2021 年毛利率、净利率与研发费用率情况 12
图 17:精测电子 2021 年分产品营收占比(%) 13
图 18:上海睿励 TFX3000P 量测设备(上)、FSD158e 检测设备(下) 14
图 19:中科飞测检测设备示例 14
图 20:中科飞测量测设备示例 15
1、 前道缺陷检测:良率的关键
、 缺陷检测:半导体晶圆制造的“眼睛”
半导体量检测设备贯穿晶圆制造的每一道制程工艺,从设计验证到工艺控制检测再到晶圆测试直至成品测试,量检测设备对晶圆制造的良率控制和提升有着至关重要的作用。
根据测试环节,半导体量检测可分为前道检测和后道检测,其中前道量检测发Th在晶圆制备与硅片制造过程,包括硅片制造过程中所形成的各种薄膜厚度、纳米结构的关键尺寸(CD)、套刻误差等尺寸参数的量测、晶圆表面缺陷的检测,确保将加工产线的良率控制在规定的水平之上。
根据功能的不同,前道量检测设备又分为量测类和缺陷检测类,前者主要针对膜厚、膜应力、关键尺寸、掺杂浓度等,后者主要用于晶圆表面缺陷检测,这是半导体制造过程中工艺控制与良率管理的关键之一。缺陷检测目的在于对被检测晶
圆上的关键缺陷(DOI,指被认为对良率、可靠性或性能有影响的任何缺陷类型)进行准确识别、定位以及分类,从而帮助缺陷和良率工程师快速解决缺陷问题,这对于晶圆厂降低Th产成本、提升晶圆的良率意义重大。
目前用于半导体量测的技术按技术原理可分为光学检测、电子束检测和其他,主要包括扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM),以及光学量检测技术等。在缺陷检测领域,SEM、TEM、AFM 虽然都可以实现纳米级尺度的缺陷检测(如电子束检测),但是存在速度慢、成本高、设备操作复杂等缺点。相对地,光学检测技术因具有速度快、无接触、非破坏和易于在线集成等优点而被广泛应用。
、 明场检测与暗场检测:系统原理大相径庭
晶圆表面缺陷的光学检测技术,依据其基本光学原理,可分为衍射法、干涉法和散射法。其中,散射法利用缺陷对入射光的散射特性进行缺陷检测,是一种应用广泛的缺陷检测方法,散射法根据照明方法与成像原理等不同又可分为明场散射和暗场散射。
尽管明场与暗场均利用了光的散射,但二者在检测原理上存在较大差异。倘若晶圆表面是一个光滑面,其被光线照射时,会发Th镜面反射,而事实上晶圆表面存在颗粒等诸多缺陷,会导致部分入射光的反射方向较预定方向发Th偏离,即发Th散射。明场检测和暗场检测的主要区别就在于,前者检测损失了一部分光强的反射光;后者直接检测散射光。
图 1:镜面反射与明暗场检测基本原理
资料来源:MKS,光大证券研究所
1、 照明方法
在光学检测系统的设计中,一个重要的考虑是宽带与窄带光源的选择。宽带系统使用光强度极高的灯来提供一系列波长,窄带系统则使用
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