三门峡HJT靶材研发项目可行性研究报告.docx

泓域咨询/三门峡HJT靶材研发项目可行性研究报告  三门峡HJT靶材研发项目 可行性研究报告 xx投资管理公司  报告说明 完成钝化接触的非晶硅几乎不具备横向导电性，因此引入了同时具备优异光、电性能的TCO薄膜。目前异质结TCO薄膜制备方法一般有物理气相沉积（PVD）和反应等离子体沉积（RPD）两种方法，PVD应用更加广泛，其原理是电子在电场的作用下，与氩原子发生碰撞，激发出二次电子和Ar+，而后Ar+在电场作用下被加速，以高能量轰击靶材而发生能量交换，靶材表面溅射出原子，最终在异质结电池上沉积成TCO薄膜，由其完成透光、导电功能。 根据谨慎财务估算，项目总投资1955.72万元，其中