光电技术 课件 第6章 发光器件与光电耦合器件.ppt

图6-26所示为几种不同封装的光电耦合器，图中（a）、（b）、（c）分别为三种不同安装方式光电发射器件与光电接收器件分别安装器件的两臂上，分离尺寸一般在4~12mm，分开的目的是要检测两臂间是否存在物体，以及物体的运动速度等参数。也常被称为光电开关。 图（d）所示，LED发出的光被测物体反射，并被光电二极管接收，构成反光型光电耦合器。 图6-26 几种不同封装光电耦合器件的外形 第6章 发光器件与光电耦合器件 6.1 LED的基本工作原理 本章将着重介绍目前占据光源市场分量最大的LED发光二极管及其光电耦合器。 1907年首次发现半导体二极管在正向偏置情况下会发光。 70年代末，开始用LED作为数码显示器和简单图像的显示器。 近20年来，由于LED的发光效率、发光光谱与半导体制造工艺的进步，尤其是发蓝光的LED与银光材料研制成功，使LED制造成本急剧下降，应用市场急剧升温，成为21世纪科技发展的亮点。 LED的突出优点为： 6.1.1 LED的发光机理 （1）电光转换效率高（高于90%）、响应速度快； （2）体积小，重量轻，便于集成； （3）工作电压低，耗电少，驱动简便，容易用硬件电路与计算机控制； （4）既能制成单色性好的各种单色LED管，又能制成发白光的LED管； （5）发光亮度高，亮度易于控制与调节，被广泛应用于数字仪表的显示器、大屏幕图像显示器和在光电检测领域的特种光源使用。 1. 发光机理 LED是一种注入型电致发光器件，它由半导体PN结构成。 （1）PN结注入发光 如图6-1所示，正偏压使PN结区中的大量非平衡载流子不断地进行相对扩散，因电子迁移率μn比空穴迁移率μp高20多倍，电子很快迁移到P区与空穴复合而发光。 （2）异质结注入发光 图6-2（a）表示理想的异质结能带图，（b）为发光机理。 2. 基本结构 图6-3所示为0.8～0.9μm的双异质结GaAs／AIGaAs面发光型LED结构。 它有圆形发光平面，直径约50μm，厚度小于2.5μm。 光纤穿过衬底小圆孔与发光区平面垂直接入，用粘合材料加固，光从尾纤输出。 发光束的水平、垂直发散角均为120°。 （1） 面发光LED （2） 边发光LED 图6-4所示为波长1.3μm的双异质结InGaAsP／InP边发光型LED的结构。 核心部分是N型AIGaAs有源层，及两边的P型AIGaAs和N型AIGaAs导光层。 导光层的折射率比有源层低，比周围材料的折射率高。 为和纤芯尺寸相配合，光的端面宽度通常为50～70μm，长度为100～150μm。 边发光LED的方向性比面发光器件要好，其发散角水平方向为25°～35°，垂直方向为120°。 6.1.2 LED的特性参数 LED发出光的相对强度(或能量)随波长(或频率)变化的分布曲线称为其发光光谱。 它由材料的种类、性质以及发光中心结构决定，与器件的几何形状、外部结构和封装方式无关。 （1） 发光光谱和发光效率 描述光谱分布的主要参量是峰值波长和发光光谱的半宽度。 图6-5为GaAs0.6Po.4 和GaP的发射光谱。峰值波长在620～680nm之间，半宽度为 20～30nm。 GaP峰值波长为700nm，半宽度为100nm。 发光效率由内部量子效率与外部量子效率决定。 内部量子效率在平衡时，电子-空穴对的激发率等于非平衡载流子的复合率，复合率又分别取决于载流子寿命τr和τrn，1/τr为辐射复合率，1/τrn为无辐射复合率，内部量子效率为 辐射复合发出的光子并不能全部离开晶体向外发射，要考虑半导体的吸收，界面全反射，只有一部分能发射出去。 发射到外部的光子数nex与单位时间内注入到器件的电子-空穴对数nin之比定义为外部量子效率ηex，即 只有τrn＞＞τr，才能获得有效的光子发射。 表6-1为典型LED发光效率与发出可见光发光谱的波长。 名称 发光波长(μm） 外部量子效率% 可见光发光 效率(lm/W) 禁带宽度Eg (eV) 数变值 平均值 GaAs0.6P0.4 红光 Ga0.65Al0.35As 红光 GaP:EnO 红光 GaP:N 绿光 GaP:NN 黄光 GaP 纯绿光 GaAs0.35P0.65:N 红光 GaAs0.15P0.85:N 黄光 GaAs 红外 In0.32Ga0.68P[Te,Zn] 0.65 0.66 0.79 0.568 0.59 0.555 0.638 0.589 0.9 ? 0.5 0.5 12 0.7 0.1 0.66 0.5 0.2 ? 0.2 0.2 0.2 12.3 0.05～0.15 _ 0.02 0.2 0.05