硅中代位碳含量的红外吸收测试方法 编制说明.docxVIP

国家标准《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》 编制说明(征求意见稿) 一、 工作简况 1、 立项目的和意义 单晶硅是目前国内外大规模集成电路的主要材料，提高单晶硅质量主要是降低材料中 的各种有害杂质含量。碳杂质的存在对于单晶硅直接影响后续器件的软特性和击穿电压。 生产硅单晶的原材料和生长环境极易使碳杂质被引入到硅晶体中去，如果要提高单晶硅 质量和器件成品率，就必须严格控制硅材料中的碳含量。一般硅单晶中碳含量比氧含量 低一个数量级，同时在碳吸收峰附近有一个非常强的硅晶格吸收峰干扰测定，增加了碳 含量准确测试的难度。影响碳含量准确测试的因素很多，GB/T 1558-2009 中很多内容的 表述和规定不够明确。本次修订通过调研查阅国外相关标准，完善和补充了 GB/T 1558 方法原理、测试环境条件、碳吸收谱基线选取方法，更改干扰因素、试样制备等。 红外吸收法测试硅中代位碳原子含量在国际半导体产业领域得到广泛应用，在国内 硅材料有关生产厂家和专业检测机构均采用该方法。通过修订该标准， 旨在规范测试方 法的适用范围、干扰因素、试样制备、测试谱图基线的选取、测试环境条件等，减少对 碳含量测试的影响因素，提高硅单晶中碳含量测试的准确性。同时，该标准可用于硅材 料工艺控制、研发和验收，对促进我国半导体工艺控制技术水平和提高半导体硅材料的 国际竞争力均具有十分重要的意义。 2 、任务来源 根据《国家标准化管理委员会关于下达 2021 年第四批推荐性国家标准计划及相关标 准外文版计划的通知》 (国标委发[2021]41 号) 的要求， 由中国电子科技集团公司第四 十六研究所、浙江金瑞泓科技股份公司、有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料股 份有限公司负责修订《 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》， 计划编号为T-469, 下达日期 2022-01-04 ，项目周期 18 个月。 3 主要工作过程 项目立项之后，成立了标准修订小组，落实了标准主要内容、涉及范围、检测和参 与单位、时间节点等工作，标准编制组于 2022 年 8 月初完成了标准草稿。后期，需要根 据反馈意见修改标准；做硅中碳含量测试循环实验，完成更改该标准精密度的工作。 4 、标准主要起草单位及人员所做的工作 牵头单位中国电子科技集团公司第四十六研究所，具备拉制单晶硅、砷化镓、碳化硅、 氧化镓、硫化镉等多种半导体材料能力，承担过多项国家重大课题。修订该标准的中电 46 所质检中心成立于 1988 年， 曾承担过国家的重大课题几十个，编制几十个国家、行 业电子材料测试标准。于 1991 年通过国家技术监督局计量认证 (CMA)，2010 年通过中 国合格评定国家认可委国家实验室 (CNAS) 认可，是国家电子功能材料及辅助材料质量 监督检验中心。建筑面积 4700 ㎡ ，拥有表面/界面、结构、成分、 电学参数、光学参数 等大型测试仪器 60 多台，具备测试半导体材料结构、光学参数、硬度和表面、杂质含量 的综合分析测试能力。 本标准主要起草单位中的中国电子科技集团公司第四十六研究所为牵头单位，组织 了标准起草和试验复验工作，浙江金瑞泓科技股份公司、有研半导体材料有限公司、上 海合晶硅材料股份有限公司对标准各环节的稿件进行了审查修改，参与了复验工作，确 保标准符合 GB/T 1. 1 的要求，在标准研制过程中积极反馈意见，为标准文本的完善做出 了贡献。 二、 标准编制原则及确定标准主要内容的依据 1 、 编制原则 (1) 本文件编制主要依据 GB/T 1. 1-2020《标准化工作导则第 1 部分：标准化文件的 结构和起草规则》、GB/T 20001.4-2015《标准编写规则第 4 部分：试验方法标准》的原则 进行起草。 ( 2 ) 本标准以国家标准 GB/T 1558-2009 为基础 ， 参考国外先进标准 SEMI MF 1391- 1107，对原标准进行了补充和修订。主要是更改了原国标 GB/T 1558-2009 测试方法 的适用范围、方法原理、术语和定义、干扰因素、试样制备、精密度和报告，增加了碳 吸收谱基线的选取方法、确定半高宽的方法，记录测试数据的保留位数、测试环境条件。 2 、 标准主要内容的确定依据 目前国外有新的 SEMI MF 1391- 1107 “硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法”出 台，调研查阅了国外 ASTM E 131“分子光谱学术语”、SEMI M59“硅技术术语”、SEMI MF 1391- 1107 、SEMI MF1723- 1104“用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程” 等相关标准。本标准修改采用 SEMI MF 1391- 1107“硅中代位碳原子含量红外吸收测量 方法”，对我国标准 GB/T