半导体光电子器件的制作技术.pptxVIP

半导体光电子器件的制作技术; 内容 提 纲;集成光电子学国家重点实验室简介;;实验室的辉煌业绩;实验室取得的突出进展;行业背景;专业背景;什么是发光二极管(LED)？;评价LED性能的参数;发光二极管的巨大产业链;LED的种类;决定LED发光波长的因素;LED的发展历史;;项目背景;;Nakamura的传奇历史;Nakamura的传奇历史;项目背景;GaN基高亮度蓝光LED的研发项目;漫长、艰难的设备调研和谈判;AIXTRON 2000 HT MOVPE;High-resolution XRD;PL measurement system;Dry etching system;PECVD;集成光电子实验室分布情况;;主要研究内容;外延片的结构形式;外延生长过程;对外延片的指标要求;一般LED的光谱特性;材料外延问题的解决方法;GaN基蓝光LED结构中压电场带来的问题;窄谱宽、高波长稳定性蓝光LED;图1. 迄今为止 GaN 基 LED 材料最窄的室温 EL@20mA 和 PL@300K 光谱半高宽值（ EL中心波长为447 nm）;40 meV;LED管芯结构示意图;制作蓝光LED管芯的技术路线（一）;制作蓝光LED管芯的技术路线（二）;器件制备工艺方面遇到的问题;查找工作电压高的原因;解决p-GaN欧姆接触问题的思路;比接触电阻率的测量;矩形传输线方法;圆环传输线方法;圆点传输线方法;三种比接触电阻率测量方法的比较;小结;p型 GaN 的表面处理;经不同干法表面处理后制作 p型欧姆接触的I-V 特性曲线; p-GaN表面存在缺陷态时的金属－半导体接触的能带示意图 ;经不同湿法表面处理后制作p型欧姆接触的I-V 特性曲线;3. 独具特色的芯片工艺制作技术开发;未处理和氟硝酸处理的p-GaN表面组分的比较;p型GaN 表面各元素原子浓度不仅要知其然，而且要知所以然;小结：表面处理的作用;p-AlGaN 表面缺陷发光能级与金属-半导体接触特性的关系研究 p-AlGaN 表面化学处理及界面缺陷 (污染) 研究;;A1 未经过表面处理 RMS = 0.40 nm;影响n-GaN－金属欧姆接触的主要因素;欧姆接触电阻与RF功率的关系 ;XPS 测试结果 ;;LED器件对刻蚀工艺的要求;需要解决的问题;问题的提出;已有的实验结果;XPS 测试结果 ;实验设想;样品结构;GaN和AlGaN材料的刻蚀速率，选择性与刻蚀气体中BCl3含量的关系;GaN和AlGaN材料的刻蚀速率，选择性与反应室压强的关系;Cl2/Ar和Cl2/N2 ICP刻蚀后GaN的表面形貌;不同刻蚀条件下异质结表面的SEM照片;GaN/AlGaN异质结刻蚀后表面的rms粗糙度与刻蚀气体中BCl3含量的关系;GaN/AlGaN异质结刻蚀后表面的rms粗糙度与反应室压强的关系;AlGaN层刻蚀后O元素的深度分布图;对非选择性刻蚀和表面形貌的分析;AlGaN与GaN选择性刻蚀问题的提出;XPS 测试结果 ;实验设想;GaN、AlGaN 的刻蚀速率和选择性与O2流量的关系;AlGaN表面 XPS Al 2p 能谱;对选择性刻蚀的分析;LED的I－V特性;蓝、绿光LED的光学特性(@20mA);获得国家项目和获奖的情况;功率型GaN基LED的研发情况;白光LED的制作原理——实现白光LED的几种方法;系统分析功率型LED面临的问题;Die Fabrication Process of Flip-chip LED;Heatsink Fabrication Process of Flip-chip LED;Flip chip bonding;清华大学自主开发的倒装焊模块;系统分析倒装焊功率型GaN基LED面临的问题;提高LED光提取效率的途径;经不同干法表面处理后制作 p型欧姆接触的I-V 特性曲线;实验描述(1);实验描述(2);不同刻蚀气体对LED发光强度的影响;Cl2/N2/O2等离子体刻蚀深度对LED发光强度的影响;Cl2/N2/O2等离子体刻蚀深度对LED工作电压的影响;AlGaN层刻蚀后O元素的深度分布图;ICP刻蚀引起的损伤机制和后步处理机制讨论;不同的处理条件对LED工作电压的影响;结论;表面刻蚀300 nm的SEM照片;光强特性;研究了面向功率型LED的新型低比接触电阻率、高光学反射率的p-GaN欧姆接触电极结构;大功率管芯的Si-基倒装焊技术开发;清华大学自主开发的LED外观;功率型封装及其应用中的光学设计 ;功率LED光学问题的特点 ;LED光学问题中的非成像光学;蒙特卡罗光子追踪法模拟LED光强远场分布 ;新型准直LED光源的设计 ;新型准直LED光源的设计 ;准直LED光源光强远场分布 ; Study on the axis-symmet