电子技术基础l练习习题答案-(1).docxVIP

电子技术基础 电子技术基础 -(1) l 练习习题答案 PAGE PAGE 10 一、填第空1 章题检：测（题每（共空1000 .分5，分120，分钟共） 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ，少数载流子为 空穴 ， 不能移动的杂质离子带 正 电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基区、集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是