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二极管 diode （从制造材料分：硅二极管，锗二极管） （从制造结构分：点接触二极管，面接触二极管） 点接触二极管：PN 结面积小，结电容小，适用高频，但不能通过很大电流，用于小电流整流和检波、混频等。 点接触二极管：PN 结面积大，适用较低频，允许通过较大电流，可用于整流。 通常，硅管死区（在某电压以下导电性不明显）电压为 0.5V，锗管约为 0.1V。导通时，二极管正向压降基本为一常数，硅管约为0.6～0.7V，锗管约 0.2～0.3V。 U普通二极管的反向击穿电压 一般在几十伏以上。 U (BR) 主要参数： 最大整流电流 IOM（允许通过的最大正向平均电流，超过易过热烧毁） 最大反向