浅析电涌产生及电涌保护.docxVIP

? ? 浅析电涌产生及电涌保护 ? ? 万军令 姜学智 徐宏磊 董泸锴 方 政 潘 伟 薛汝和 Summary:随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄。电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大。外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素。文章论述了电涌的产生及电涌保护。 Key:电涌;电涌保护器;保护模式;MOV构成;MOV的指标 :TM862:A:1009-2374(2009)20-0181-02 随着微电子技术迅速发展,半体器件集成化不断提高,元件间距减小,半导体厚度变薄。电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大。外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素。为保证精密电子设备系统能正常工作,要求对电涌防护设计应更合理,同时应选择合格的电涌保护器。 一、电涌的产生 电涌是瞬态过电压,在电路中出现的瞬时过电压波动,在电路中通常持续时间仅有百万分之一秒。电涌是微秒量级异常大电流脉冲,波头时间一般在0.25～20μs,单位能量一般在2.5～10MJ/Ω。电涌的来源有两类:外部电涌和内部电涌。外部电涌主要来源于雷电,内部电涌是供电网中开关操作在电力线路上产生的过电压。 雷电是导致电涌最明显的因素,雷电击中输电线路导致巨大的过电压,一次普通闪电电压可达到3～200百万V,电流为2000～3000A。