半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-01-25 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接，所述第二区包括第二槽区；在待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；之后，在第一掩膜层上形成第二掩膜层；在第一区形成贯穿第一掩膜层和第二掩膜层的第一槽；在第一槽的侧壁形成掩膜侧墙；形成掩膜侧墙后，去除第二掩膜层；去除第二掩膜层后，以掩膜侧墙和具有掺杂离子的第一掩膜层为掩膜刻蚀去除第二槽区的第一掩膜

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111834203 A (43)申请公布日 2020.10.27 (21)申请号 20191