第9章 光纤通信技术-课件.pptVIP

另外，由于半导体材料对光的吸收作用是随着波长的减小而迅速增加，当波长较短时，光在半导体材料表面层即被吸收殆尽，使光电转换效应降低。因此，材料对于光的吸收限制了光电二极管使用的下限波长。 ②响应度和量子效率 响应度和量子效率表征了光电M极管的光电转换效率。响应度定义R为 量子效率的定义为 ③响应速度 作为光检测器，在光纤通信系统中要能够检测高频调制的光信号，因此响应速度是光电二极管的一个重要参数。响应速度通常用响应时间来表示。响应时间为光电二极管对矩形光脉冲的响应——电脉冲的上升时间或下降时间。影响响应速度的主要因素有：结电容和负载电阻的RC时间常数、载流子在耗尽区里的渡越时间及耗尽区外产生的载流子的扩散时间。 ④线性饱和 光电二极管的线性饱和是指它有一定的功率检测范围，当入射功率太强时，光电流和光功率将不成正比，从而产生非线性失真。一般PIN光电二极管在入射光功率低于毫瓦量级时，能够保持比较好的线性。 ⑤击穿电压和暗电流 无光照射时PIN作为一种PN结器件，在负偏压下也有反向电流流过，称此电流为PIN光电二极管的暗电流。暗电流是光电二极管的重要参数。暗电流主要是由半导体内热效应产生的电子、空穴对形成的。当偏压增大时，暗电流增大。当偏压增大到一定值时，暗电流激增，即发生反向击穿（即为非破坏性的雪崩击穿，如不能尽快散热，就会变为破坏性的齐纳击穿）。 ⑥噪声特性 光电二极管的噪声主要是量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声。 2．雪崩光电二极管（APD） （1）基本原理和结构 雪崩光电二极管是具有内部增益的光检测器，它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时，耗尽层的电场很强，光生载流子经过时就会被电场加速，当电场强度足够高时，光生载流子获得很大的动能，它们在高速运动中与半导体晶格碰撞，使晶体中的原子电离，从而激发出新的电子一空穴对，这个过程称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速，重复前一过程，这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加，电流也迅速增大，形成雪崩倍增效应，APD就是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度的光检测器。 图为APD拉通型（RAPD）结构。此种结构的器件具有高效、快速、低噪声的特点。 第9章 光纤通信技术 （2）APD的特性 与PIN光电二极管相比，APD的主要特性也包括：波长响应范围、响应度、量子效率。响应速度等，除此之外，APD的特性还包括了雪崩倍增特性、噪声特性、温度特性等。 ①APD的雪崩倍增因子 APD的雪崩倍增因子(M)定义为 从定义可见，倍增因子是APD的电流增益系数。由于雪崩倍增过程是一个随机过程，因而倍增因子是在一个平均之上随机起伏的量，所以上式的定义应理解为统计平均倍增因子。 ②APD对的过剩噪声 APD的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声和过剩噪声。过剩噪声是APD的主要噪声。 过剩噪声的产生主要与两个过程有关，即光子被吸收产生初级电子一空穴对的随机性和在雪崩区产生二次电子一空穴对的随机性。这两个过程是不能准确测定的，因此产生了过剩噪声。 ③响应度和量子效率 由于APD具有电流增益，所以APD的响应度比PIN的响应度大大提高，有 量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是小于1。 ④线性饱和 APD的线性工作范围没有PIN宽，它适宜于检测微弱光信号。当光功率达到几个微瓦以上时，输出电流和入射光功率之间的线性关系变坏，能够达到的最大倍增增益也降低了，产生了饱和现象。 ⑤击穿电压和暗电流 APD的暗电流有初级暗电流和倍增暗电流之分，它随着倍增因子的增加而增加；此外还有漏电流，漏电流不经过倍增。 APD偏置电压接近击穿电压。击穿电压并非是APD的破坏电压，撤去该电压APD能正常工作。 ⑥APD的响应速度 APD的响应速度主要取决于载流子完成倍增过程所需要的时间、载流子在耗尽层的渡越时间以及结电容和负载电阻的RC时间常数等因素。渡越时间的影响相对比较大，其余因素可通过改进器件的结构设计使影响减至很小。 9.3.4 光接收机 1．光接收机的组成 对于强度调制的数字光信号，在接收端采用直接检测（DD）方式时，光接收机的主要组成如图9．25所示。它由光电变换、前置放