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填空题
1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流
的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在
较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。
3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。PN结外加正向电压时,
扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄
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