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一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器.pdfVIP

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  • 2023-01-30 发布于四川
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一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器.pdf

    本实用新型提供一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器，包括设置在总熔体空间内的器壁，所述器壁所围成的空间形成晶体生长区，所述晶体生长区与所述总熔体空间同轴，所述器壁上加工有至少一个通孔，所述通孔用于所述总熔体空间内的熔体进入所述晶体生长区内，所述通孔位于所述晶体生长区内的熔体液面以下，所述通孔的横截面积0.1mm2≤S≤5024mm2。本实用新型通过在器壁上开设通孔实现了晶体生长区的分隔，得其外部未熔化的杂质点不能进入坩埚内，通孔实现了熔体的补充。通孔的尺寸实现更好的提高单晶体的生长良率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212293837 U (45)授权公告日 2021.01.05 (21)申请号 202022188827.3 (22)申请日 2020.09.29 (73)专利权人 连

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