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一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构.pdfVIP

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  • 2023-01-30 发布于四川
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一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构.pdf

    本实用新型提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合结构，结构至少包括：焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极，所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构；胶层，形成于所述重布线介质层上；基板，贴附与所述胶层上。通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212303631 U (45)授权公告日 2021.01.05 (21)申请号 202022203803.0 (22)申请日 2020.09.30 (73)专利权人 中芯长电半导体（江阴）有限公司

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