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一种改善高温高湿反偏可靠性的高压超结MOSFET.pdfVIP

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  • 2023-01-30 发布于四川
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一种改善高温高湿反偏可靠性的高压超结MOSFET.pdf

    本实用新型公开了一种改善高温高湿反偏可靠性的高压超结MOSFET。它包括第一导电类型的衬底和设置在衬底上侧的外延层，外延层的有源区内设有第二导电类型轻掺杂的沟槽填充区和第一导电类型的JFET区，沟槽填充区的上端设有第二导电类型重掺杂的体区，体区的上端两侧设有第一导电类型重掺杂区，在终端区内的外延层的上侧设有场氧化层，在有源区内的外延层的上侧设有栅氧化层，栅氧化层上侧设有掺杂多晶，掺杂多晶及栅氧化层的外侧设有SIN层。本实用新型通在掺杂多晶及栅氧化层的外侧增加一层致密的SIN层，而不需要使用Pol

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212303680 U (45)授权公告日 2021.01.05 (21)申请号 202022478217.7 (22)申请日 2020.11.02 (73)专利权人 南京华瑞微集成电路有限公司

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