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一、填空题(每空 1 分,共 15 分)
1、晶闸管导通的条件是 正向阳极电压 、 正向门极触发电流 。
2 、电子器件据其能被控制信号所控制的程度,可分为三大类: 不控型 、 半控型 、
全控型 。
3、擎住电流是指晶闸管刚从 断态 转入 通态 , 移除触发信号使元件保持导通所需最
小阳极电流。
4 、绝缘栅晶体管(IGBT)是 GTR(或电力晶体管) 和 MOSFET(或功率场效应管或电力
场效应管) 的复合型器件。
5、根据无源逆变器直流输入端接入滤波器的不同,可分为 电压(或电压源) 型逆变器
和 电流(或电流源) 型逆变器,按电子开关的工作规律分,无源逆变器的基本类型为
0 0
180 导电型 和 120 导电型 。
6、将一个 不可控 直流电压变换为 适合于负载要求的可控 直流电压的技术称为直流
斩波技术。
二、简答题(每题 5 分,共 30 分)
1、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路各元件的作用?
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(1)抑制电力电子器件内因过电压,du/dt 或过电流和di/dt ,减少器件的开关损耗。
(2) C限制关断时电压的上升,R 限制电流的大小。D利用单向导电性, 关断时起作用。
2、简述电压型逆变器和电流型逆变器主电路中每一桥臂的结构,并分析二极管的作用。
(1) 电压型逆变器每个桥臂由电子开关和一个反并联的二极管组成,二极管起续流作
用。
(2)电流型逆变器每个桥臂由电子开关串联一个二极管组成,二极管确保每一个桥臂
的电流单方向流动。
3、什么是逆变失败? 如何防止逆变失败?
(1)逆变运行时,一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或
者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联, 由于逆变电路内阻很小,
形成很大的短路电流,称为逆变失败。
(2)防止逆变失败的方法: 采用精确可靠的触发电路,使用性能良好的晶闸管,保证交
流电流的质量,留出充足的换向裕量角等 。
4、什么是 IGBT 掣住效应?它有什么危害?
(1)在额定集 电极电流范围 内,在 NPN 管的基极与发射极之间的体 内短路电阻 Rs 上
的偏压很小,对 NPN 管无影响 。
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(2)如果集电极电流大到一定程度,Rs 上压降上升,相当于加一正偏电压,使 NPN
管导通,进而使 NPN 、PNP 两晶体管同时处于饱和状态,造成寄生晶闸管开通
IGBT 栅极失去控制作用,这就是所谓的掣住效应。
(3)IGBT 一旦发生掣住效应,器件将失控,集电极电流将增大,早成过高的功耗,
将导致器件损坏。另外,它还关系着 IGBT 的安全工作区的大小,在实际应用中
是需要引以重视的问题。
5、简要说明锯齿波垂直移相触发电路中,控制电压、偏移电压各有什么作用?
(1)改变控制电压就可以改变触发脉冲产生的时刻,达到移相的目的。
(2)设置偏移电压的目的是确定控制电压的初始相位 。
6、简述 电力晶体管产生二次击穿的原因 。
(1)当 GTR 的 C、E 极 间施加的电压高于晶体管的电压的额定值时,GTR 的电流雪
崩式增加,呈现负阻特性 ,即出现一次击穿现象 。
(2)若 GTR 出现一次击穿后继续增大外加反向 电压 u ,反向 电流将继续增大,元件
ce
将会吸收足够的能量 ,其工作状态将
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