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不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构.pdfVIP

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  • 2023-02-02 发布于四川
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不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构.pdf

    本发明公开了一种不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构，将栅间隔离介质的热氧化生长和栅氧化层的热生长分开进行，使得栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度的影响，同时避免了常规热生长方法生产栅间隔离介质缺陷导致栅源漏电及栅源电容大等诸多问题。栅极氧化厚度不影响栅间隔离介质的厚度和质量，可根据器件参数要求自由选择栅氧化层厚度，解决了栅源漏电问题并且降低了栅源电容，增强了器件的开关速度，极大的提升了MOSFET高频开关电源领域的适用性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212342641 U (45)授权公告日 2021.01.12 (21)申请号 202020707212.4 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020

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