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- 2023-02-03 发布于四川
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本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件，包括：硅体；p型硅体，位于硅体内，且上表面与硅体的上表面齐平；栅极设置于所述二氧化硅层上，且位于p型硅体的上方；源极、漏极分别设置于栅极的两侧，位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平；p型重掺杂区，设置于硅体内，围绕金属氧化物半导体场效应晶体管且与p型硅体的表面齐平；阳极收集电极，位于所述硅体内，与p型重掺杂区间隔设置且与p型硅体的表面齐平；阴极环，位于硅体内，与阳极收集电极间隔设置且与p型硅体的表面齐平；二氧化硅层，设置于硅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212342629 U
(45)授权公告日 2021.01.12
(21)申请号 202022222153.4
(22)申请日 2020.09.30
(73)专利权人 湖南正芯微电子探测器有限公司
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