固体物理课件.pptxVIP

第八章 半导体电子论 半导体的价带与导带之间的带隙介于0.2~3.5 eV范围内，其导电能力介于绝缘体与金属导体之间，室温下半导体的电阻率在10－3 ~109(?cm)范围内。 在半导体中电子可以做多种形式的运动（如漂移、扩散等），其性质与杂质、温度、光照及压力等有密切关系。通过研究半导体的物理性质，可以不断揭示出各种形式的电子运动，阐明其规律性，从而可以设计出更多的半导体器件。因此，半导体材料有极其广泛的应用前景。在所有固体材料中，半导体材料无疑是最令人感兴趣的材料，也是被人们研究最广泛的材料之一。 §8.1 半导体的基本能带结构 半导体中能量最高的满带称为价带，能量最低的空带称为导带。在价带顶和导带底之间的能量间隙称为带隙（或能隙），用Eg表示。由于半导体的带隙较窄，因此，在一定温度下，由于热激发，导带底有少量电子，而价带顶有少量空穴。半导体的导电性就来自导带底的少量电子或价带顶的少量空穴的贡献。我们将这些对电流有贡献的电子和空穴称为载流子。而载流子的运动则取决于半导体的能带结构。 一、半导体的带隙 当光照射到半导体时，价带中的电子就会吸收光子的能量而跃迁到导带中，这个过程称为本征光吸收。本征光吸收的光子能量必须满足或—— 本征吸收边 电子的光吸收过程必须满足能量守恒和准动量守恒。在本征吸收边附近，有两种类型