场效应晶体管的补充II.pptxVIP

半导体器件原理南京大学Chapter 8. FET的补充分析-- CMOS 器件设计与性能参数二、CMOS 性能参数 集成度、开关速度和功率消耗是VLSI的主要参数，主要关注影响开关速度的若干因数。2.1 基本CMOS电路元件2.2 寄生单元(电阻与电容)2.3 CMOS 延迟对器件参数的依赖2.4 先进CMOS器件的性能参数第一页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学2.1 基本CMOS电路元件第二页，共七十二页。 第三页，共七十二页。 第四页，共七十二页。 第五页，共七十二页。 第六页，共七十二页。 第七页，共七十二页。 第八页，共七十二页。 第九页，共七十二页。 第十页，共七十二页。 第十一页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学1。CMOS 反相器 在任何一个状态, 仅有一个晶体管导通, 没有静态电流与功率消耗.第十二页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学（1）CMOS反相器的传输特性CMOS与MOSFET输入输出特性的不同点：n-MOSFET电流电压控制规则相同 p-MOSFET (Vs=Vdd),:Vin高， Vg低（IP小） ；Vin低，Vg=-Vdd (Ip大）Vout高，Vds低；（IP小）Vout低, Vds=-Vdd (Ip大）第十三页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学 Vout-Vin 曲线的高到低转变区的陡峭度反映了数字电路 的性能. 高低转变点发生在中点: Vin=Vdd/2?IP=IN ?Wp/Wn=In/Ip 对短沟道器件, In/Ip要小一些(速度饱和效应) A-C, nMOSFET工作在饱和区, pMOSFET工作在线性区 B-D, pMOSFET工作在饱和区, nMOSFET工作在线性区第十四页，共七十二页。 第十五页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学（2） CMOS反相器的开关特性 开及关的延迟相等第十六页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学C- 电容充电C+ 电容放电p-MOS电阻消耗C+ 电容充电C- 电容放电n-MOS电阻消耗第十七页，共七十二页。 第十八页，共七十二页。 第十九页，共七十二页。 第二十页，共七十二页。 第二十一页，共七十二页。 第二十二页，共七十二页。 第二十三页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学2。CMOS 与门和或门电路(逻辑计算) 在与电路中,nMOSFET串联在输出端与地之间, pMOSFET并联在电源与输出端之间.(所有输入端处于高电平时,输出为低.) 更多地采用于CMOS技术中.第二十四页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学在或电路中,nMOSFET并联在输出端与地之间, pMOSFET串联在电源与输出端之间.(所有输入端处于低电平时,输出为高.)第二十五页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学2.2 寄生单元(电阻与电容)1。源漏电阻:第二十六页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学?积累层电阻与扩展电阻积累层电阻依赖于栅压,被认为是Leff的一部分.扩展电阻:陡峭的源漏结, 注入点接近于沟道的金属结端点, 以上二电阻均很小.渐变的源漏结, 注入点离开金属结, 二电阻较大.第二十七页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学?薄层电阻: ?接触电阻: 短接触 长接触 自对准硅化物工艺中的电阻(薄层电阻和接触电阻均大大减小)第二十八页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学第二十九页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学2。寄生电容(结电容与交迭电容)?结电容第三十页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学?交迭电容第三十一页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学3。栅电阻: 0.25um以下器件中栅RC延迟不能忽略对大电流器件, 多指形的栅版图设计与源漏区的交叉分布.第三十二页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学4。互连电阻与电容（1）互连电容在CMOS反相器或与门中可忽略, 但在VLSI芯片或系统中, 互连电阻与电容将对性能起重要的作用.第三十三页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学第三十四页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学当金属线或间距尺寸与绝缘或线厚度大致相等时,总电容显示一较宽的最低值.第三十五页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学（2）互连的等比例缩小所有线性尺寸, 金属线长度、宽度、厚度、间距和绝缘层厚度均等比例缩小.第三十六页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学（3）互连电阻局域的互连：尺度的缩小不导致RC的问题（4）大尺度互连的RC延迟（不同的等比例缩小规则）第三十七页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学第三十八页，共七十二页。 半导体器件原理南京大学2.3 CMOS 延迟对器件参数的