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- 2023-02-07 发布于四川
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本实用新型公开的属于半导体蚀刻技术领域，具体为一种半导体蚀刻设备，包括蚀刻液槽、支撑架和顶板，所述支撑架安装在蚀刻液槽的两端上侧，所述顶板安装在支撑架的上端，还包括：用于对蚀刻后的半导体干燥的多角度干燥组件，所述多角度干燥组件安装在支撑架和顶板上，所述多角度干燥组件包括电机一和加热棒，所述电机一安装在支撑架的外侧面，本实用新型有益效果是：通过把半导体放入两组可转动的支撑板之间，然后自动带着半导体浸入蚀刻液中蚀刻，蚀刻完毕后，再自动移出蚀刻液，通过加热杆加热蚀刻液，加速对半导体蚀刻，通过风机把加热
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218447833 U
(45)授权公告日 2023.02.03
(21)申请号 202222514983.3
(22)申请日 2022.09.22
(73)专利权人 苏州瑞红集昕科技有限公司
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