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半导体发光元件.pdfVIP

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  • 2023-02-07 发布于四川
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半导体发光元件.pdf

    本实用新型提供了一种半导体发光元件，其从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中部分所述n型半导体层与部分所述量子阱层形成n型空间电荷区，部分所述p型半导体层形成p型空间电荷区，所述n型空间电荷区的宽度大于p型空间电荷区的宽度。本实用新型通过所述n型空间电荷区的宽度大于p型空间电荷区的宽度的设置能够改善半导体发光元件的老化光衰性能。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218447948 U (45)授权公告日 2023.02.03 (21)申请号 202222530314.5 (22)申请日 2022.09.23 (73)专利权人 厦门士兰明镓化合

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