液晶显示第四部分.pptxVIP

会计学;二端有源器件;; 二极管反向电阻大于液晶像素的漏阻，被选择的像素充上电压后，当寻址信号移去后，仍将保持，因为串联的二极管反向不导通。 像素上的电荷只有靠自身的漏电才能泻放掉，这决定于液晶像素的介质弛豫常数?LC。?LC设应小于帧周期，否则影响器件的响应特性。;十四. 有源矩阵液晶显示器件（AM-LCD）（5）;（2）金属—绝缘体—金属(MIM) 寻址矩阵液晶显示器 ;有源矩阵驱动LCD的工作原理;（1）非晶半导体场效应器件 ;对TFT的要求： 较高的开关比，一般需?105。 为了与驱动液晶显示的外围电路相匹配，?-Si:H TFT的驱动电压应小于15V。 漏极总线的极性每场变化一次，栅极总线的极性不能改变，但是TFT漏源间加不同极性电压后其输出特性是不一样的。解决办法是交替使用峰值不同的脉冲，或适当加一个偏压。 TFT的开关速度必须能满足图象显示的要求，即从断态到通态的电流上升要陡。 TFT应有合适的导电沟道宽长比W/L。;?-Si FET的优点： 因为不掺杂或轻掺杂的?-Si 具有很高的电阻率，故器件不需p-n结构的特别隔离工艺，可以采用简单的结构； ?-Si FET具有高的开态与关态电流比； 器件的所有制作过程可以用传统的光刻工艺，所以可能实现高集成度； 器件在低于350?C的低温过程中制造，因此可以采用大面积、廉价的平板玻璃作衬底。;（2）多晶硅薄