原创力文档- 1
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- 2023-02-09 发布于北京
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提供了半导体器件，其包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212412061 U
(45)授权公告日 2021.01.26
(21)申请号 202021369729.3 H01L 21/8234 (2006.01)
(22)申请日
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