半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底；位线，位于基底上；半导体通道，位于位线表面，在沿基底指向位线的方向上，半导体通道包括依次排列的第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区，第一掺杂区与位线相接触，且第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区中掺杂有第一类型掺杂离子，沟道区中还掺杂有第二类型掺杂离子，使得沟道区中的多数载流子浓度低于第一掺杂区和第二掺杂区中多数载流子的浓度，第一类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的一者，第二类型掺杂离子为N型离子或P型离子中的另一者。本发明实施例有利于

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115701211 A (43)申请公布日 2023.02.07 (21)申请号 202110808697.5 (22)申请日 2021.07.16 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230