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- 2023-02-10 发布于四川
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本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括第一承载台和第二承载台，其中，所述第一承载台和所述第二承载台通过连接结构相连，所述第一承载台和所述第二承载台中的一个承载待加工的晶圆，另一个承载已加工的晶圆。该承片台通过第一承载台和第二承载台实现双通道设计，使晶圆在中转时将待加工的晶圆和已加工的晶圆进行分流，避免了已加工的晶圆对待加工的晶圆的影响，有助于提高产品的质量及性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212434596 U
(45)授权公告日 2021.01.29
(21)申请号 202021142203.1
(22)申请日 2020.06.18
(73)专利权人 成都士兰半导体制造有限公司
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