微电子器件（第4版）全套PPT课件.pptx

微 电 子 器 件电子科技大学本课程的主要内容是什么？为什么要学习本课程？怎样学好本课程？电子器件发展简史1904年：真空二极管1907年：真空三极管电子管 1947年：双极型晶体管 1960年：实用的 MOS 场效应管固体器件 美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触双极晶体管 1950 年发明了结型双极型晶体管，并于 1956 年获得诺贝尔物理奖。 1956 年出现了扩散工艺，1959 年开发出了 硅平面工艺 ，为以后集成电路的大发展奠定了技术基础。1959 年美国的仙童公司（ Fairchilds ）开发出了第一块用硅平面工艺制造的集成电路，并于 2000 年获得诺贝尔物理奖。第1章 半导体物理基础及基本方程微电子器件是利用半导体中的各种物理机理来工作的，这些物理机理取决于半导体晶格结构和内部的电子运动。作为基础，本章简明地介绍了半导体的晶格结构、电子状态、载流子的分布及输运等内容，并给出了分析半导体器件工作机理和特性的基本方程及应用示例。 1.1 半导体晶格 无定型材料只在几个原子或分子的尺度内有序。 多晶材料则在许多个原子或者分子的尺度上有序，这些有序化区域称为单晶区域，彼此有不同的大小和方向。单晶区域称为晶粒，它们由晶界将彼此分离。 单晶材料则在整体范围内都有很高的几何周期性。。半导体器件大部分都是采用半导体单晶材料。（a）无定型 （b）多晶 （c）单晶 一个典型单元或原子团在三维的每一个方向上按某种间隔规则重复排列就形成了单晶。晶体中这种原子的周期性排列称为晶格。（a）简立方 （b）体心立方 （c）面心立方 元素半导体硅和锗具有金刚石晶体结构，参数a代表的是晶格常数。 金刚石晶体结构最基本的结构单元是四面体，该四面体中的每个原子都有四个与它最近邻的原子。 化合物半导体，比如GaAs具有闪锌矿结构，它与金刚石结构的不同仅在于它的晶格中有两类原子。 右图显示了GaAs的基本四面体结构，其中每个镓原子有四个最近邻的砷原子，每个砷原子有四个近邻镓原子。表明了两种子晶格的相互交织来产生闪锌矿晶格。 晶体中通常采用密勒指数来确定不同的晶面。密勒指数的确定方法如下：首先求出该晶面在三个主轴上的截距，并以晶格常数（或原胞）的倍数表示截距值，然后对这三个数值各取倒数，乘以它们的最小公分母，简化为三个最小整数，把结果括在圆括弧内就得到了密勒指数（hkl），用它来表示一个晶面。1.2 半导体中的电子状态 对于由n个原子组成的晶体，晶体每立方厘米体积内约有1022?1023个原子，所以n是个很大的数值。 当n个原子相距很远，尚未结合成晶体时，则每个原子的能级都和孤立原子的一样，它们都是n度简并的（暂不计原子本身的简并)。 当n个原子互相靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，结果每一个n度简并的能级都分裂成n个彼此相距很近的能级，这n个能级组成一个能带。这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中做共有化运动。分裂的每一个能带都称允带，允带之间因没有能级称为禁带。晶体中电子所遵守的薛定谔方程为晶体中电子处在不同的k状态，具有不同的能量E(k)，求解上式可得出E(k)和k的关系曲线 硅、锗都属于金刚石型结构，它们的固体物理原胞和面心立方晶体的相同，其第一布里渊区如右图 在第一布里渊区求解薛定谔方程，可得出半导体硅和锗的能带图以一维情况为例，设能带底位于波数k =0，能带底部附近的k值必然很小。将E(k)在k =0附近按泰勒级数展开，取至k2项，得到在极值点（dE/dk）k=0 = 0，故,E(0)为导带底能量。对给定的半导体，（d2E/dk2）k=0应该是一个定值，令则有：对比真空中电子能量表达式 可见半导体中电子与自由电子的E(k)~k关系相似，只是半导体中出现的是mn* ,称其为导带底电子有效质量。 考虑到半导体中原子势场和其他电子势场对电子的作用力非常复杂，这部分势场的作用就由有效质量加以概括。 外力F与晶体中电子的加速度就通过有效质量联系起来而不必再涉及内部势场。这样，半导体中电子运动满足牛顿第二定律： 对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流导电，常称这种能带为导带。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下，能激发到导带去的电子很少，所以导电性很差。半导体禁带宽度比较小，在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去，所以具有一定的导电能力。(a)导体 (b)绝缘体 (c)半导体1.3平衡状态下载流子浓度热平衡状态下，非简并半导体的导带电子浓度为其中，导带的有效状态密度Nc为而非简并半导体的价带空穴浓度为价带的有效状态密度Nv为故可得到即电子和空穴的浓度乘积和费米