等离子体约束装置及等离子体处理装置.pdfVIP

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2023-02-12 发布于四川
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等离子体约束装置及等离子体处理装置.pdf

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本实用新型公开了一种等离子体约束装置及等离子体处理装置，所述等离子体约束装置设置于等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，包括：导电元件，所述导电元件设置有若干个通道，所述处理区域里的用过的反应气体通过此通道排出；阻挡部，其设置在所述导电元件的所述通道中，用于部分遮挡连通所述处理区域和所述排气区域的所述通道。本实用新型能够减少半导体基片表面附着的颗粒物的数量，提高颗粒物在半导体基片表面分布均匀性，进而提高刻蚀均匀性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212461598 U (45)授权公告日 2021.02.02 (21)申请号 202021680952.X (22)申请日 2020.08.13 (73)专利权人中微半导体设备（上海）股份有限