一种新型双沟槽的肖特基二极管.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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本实用新型公开了一种新型双沟槽的肖特基二极管，包括N+型衬底和N‑型外延层，所述N+型衬底上表面设置有N‑型外延层，所述N型外延层上表面的芯片外圈对称开设有1个或多个降压环，所述N‑型外延层上表面的中心处均匀开设有第一沟槽，所述N‑型外延层上表面位于所述两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述降压环和第一沟槽内壁设有氧化硅绝缘层，所述降压环和第一沟槽内部均填充有多晶硅；本实用新型通过在N‑型外延层表面设置第一沟槽和第二沟槽，采用双沟槽设计，通过第一沟槽可以在芯片反向通电流时有效阻断电流，通过第二沟槽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212542446 U (45)授权公告日 2021.02.12 (21)申请号 202021477848.0 (22)申请日 2020.07.24 (73)专利权人淄博汉林半导体有限公司