模拟电路第一章二极管.pptxVIP

第一章 常用半导体器件第一页，共四十八页。半导体第一章 常用 器件 类别项目 导体绝缘体代表物质 一般最外层电子数外层电子受原子核的束缚力 导电性 半导体金属硅、锗惰性气体 44=4大小二者之间易不易二者之间第二页，共四十八页。GeSi1.1 半导体基础知识???1.1.1 本征半导体纯净的晶体结构的半导体无杂质结构特点半导体硅和锗的最外层电子（价电子）都是四个。通过一定的工艺过程，可将其制成晶体。即为本征半导体第三页，共四十八页。+4+4+4+4 本征半导体的结构示意图共用电子常温下价电子很难脱离共价键成为自由电子导电能力很弱 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。第四页，共四十八页。热和光的作用本征激发（热激发）一些价电子获得足够的能量而脱离共价键束缚+4+4电子空穴对+4+4游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合 空穴 自由电子带负电带正电第五页，共四十八页。本征半导体的两种载流子在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移。+4+4空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。+4+4第六页，共四十八页。本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高，载流子的浓度越高，导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素。这是半导体的一大特点。第七页，共四十八页。+4+4+5+41.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量合适的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 N 型半导体掺入少量的五价元素磷（或锑）取代，形成共价键多余电子施主原子多出一个电子磷原子成为不能移动的正离子磷原子第八页，共四十八页。+4+4+5+4N 型半导体中的载流子是什么？Negative1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。第九页，共四十八页。+4+4+3+4PositiveP 型半导体掺入少量的三价元素硼（或铟）取代，形成共价键空穴空位受主原子产生一个空位吸引束缚电子来填补硼原子成为不能移动的负离子硼原子空穴是多子，电子是少子第十页，共四十八页。++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－(3)、杂质半导体的示意表示法N 型半导体P 型半导体杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。第十一页，共四十八页。 1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由 电子和空穴对，故其有一定的导电能力。 3、本征半导体的导电能力主要由温度决定； 杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。 N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。 5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度 和材料性质有关。第十二页，共四十八页。小结－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++1.1.3 PN结一、PN 结的形成利用掺杂工艺，将P 型半导体和N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面处就形成了PN 结。PN结P 型半导体N 型半导体第十三页，共四十八页。－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。物质因浓度差会产生扩散运动自由电子空穴扩散的结果是产生空间电荷区。空间电荷区，也称耗尽层。第十四页，共四十八页。电位VV0－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++－－－－－－++++++最终扩散和漂移这一对相反的运动达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。-+内电场E空穴自由电子在电场力作用下，载流子产生的运动称为漂移运动第十五页，共四十八页。总结 因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场 内电场阻止多子扩散 内电场促使少子漂移达到平衡，空间电荷区宽度固定不变第十六页，共四十八页。变薄内电场外电场－+－+－+－+RE二、 PN结的单向导电性外加电源将使扩散运动源源不断的进行，形成正向电流，PN结导通PN 结正向偏置_+NP第十七页，共四十八页。变厚内电场外电场－+－+－+－+PN 结反向偏置内电场被被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反