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本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构,该结构包括:两片以上具有焊垫的半导体芯片,半导体芯片排布为扇出型晶圆阵列,每个半导体芯片具有各自的初始位置;塑封层,覆盖半导体芯片表面及各半导体芯片之间,每个半导体芯片具有塑封后各自的偏移位置,偏移位置相对于初始位置具有偏移距离;重新布线层,形成于半导体芯片上,以实现各半导体芯片之间的互连,重新布线层至少包括一层第一重新布线层,第一重新布线层形成于半导体芯片的表面上,且与半导体芯片的焊垫对齐连接;金属凸块,形成于重新布线层上。该扇出型晶圆级封装结构可实现半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212542410 U
(45)授权公告日 2021.02.12
(21)申请号 202021943526.0 G03F 7/20 (2006.01)
(22)申请日 20
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