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一种碳化硅单晶生长用坩埚和生长装置.pdfVIP

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  • 2023-02-14 发布于四川
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一种碳化硅单晶生长用坩埚和生长装置.pdf

    本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚及生长装置，包括：第一坩埚，所述第一坩埚具有原料腔和位于所述原料腔上方的生长腔；第二坩埚，位于所述原料腔内；至少一层第一热辐射屏，位于所述第一坩埚和所述第二坩埚之间；所述第一坩埚、辐射热屏、第二坩埚之间的旋转对称轴重合；所述第一热辐射屏和所述第二坩埚的间距为1‑10mm。根据本实用新型提供的碳化硅单晶生长用坩埚受热时内部温度热场均匀，最大程度确保坩埚内SiC单晶生长用原料受热均匀，提高晶体成品质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212533200 U (45)授权公告日 2021.02.12 (21)申请号 202020920610.4 (22)申请日 2020.05.27 (73)专利权人 中电化合物半导体有限公司

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