原创力文档- 0
- 0
- 约1.12万字
- 约 13页
- 2023-02-14 发布于四川
- 举报
本公开涉及一种相变存储器设备以及电子设备。该相变存储器设备包括：衬底；在衬底上的晶体管；在晶体管上的第一绝缘层；导电过孔，延伸穿过第一绝缘层；在第一绝缘层上的第二绝缘层；在导电过孔上的电阻元件，该电阻元件延伸穿过第二绝缘层；在电阻元件上的相变材料层；在相变材料层上的导电层；在导电层上的第三绝缘层；在第三绝缘层中的开口，该开口直接覆盖相变材料层；以及在该开口中的第四绝缘层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212542479 U
(45)授权公告日 2021.02.12
(21)申请号 202020921710.9 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2020
文档评论（0）