仪器分析SEM-TEM课程学习.pptxVIP

电镜的基本类型 ;直接透射电子;（1）透射电镜 TEM 透射电镜图片类似于投影图，立体感较扫描电镜图差，对于样品厚度有严格要求，主要用于样品内部结构的分析。 ;（2）扫描电镜 SEM 通过反射电子或二次电子对样品表面进行分析的电镜技术，简称为扫描电镜 Scanning Electron Microscopy, SEM。 ;（2）扫描电镜 SEM 与透射电镜相比，扫描电镜图片具有更佳的立体感，主要应用于样品表面形貌、组成及结构的分析。 ;扫描电子显微镜;1. 引 言; 一束细聚焦的电子束轰击试样表面时，入射电子与试样的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用，并激发出反映试样形貌、结构和组成的各种信息，有：二次电子、背散射电子、阴极发光、特征X 射线、俄歇过程和俄歇电子、吸收电子、透射电子等。 ; ; ; ; ;五、特征Ｘ射线 当样品原子的内层电子被入射电子激发，原子就会处于能量较高的激发状态，此时外层电子将向内层跃迁以填补内层电子的空缺，从而使具有特征能量的Ｘ射线释放出来。 用Ｘ射线探测器测到样品微区中存在一种特征波长，就可以判定这个微区中存在着相应的元素。;六、俄歇电子 在特征x射线过程中，如果在原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量并不以X射线的形式发射出去，而是用这部分能量把空位层内的另—个电子发射出去，这个被电离出来的电子称为～。 只有在距离表面层1nm左右范围内(即几个原子层厚度)逸出的俄歇电子才具备特征能量，因此俄歇电子特别适用于表面层的成分分析。;电子在铜中的透射、吸收和背散射系数的关系;样品本身要保持电平衡，这些电子信号必须满足： ip=ib+is+ia+it  式中：ip 是入射电子强度； ib 是背散射电子强度； is 是二次电子强度； ia 是吸收电子强度； it 是透射电子强度。将上式两边同除以ip，η+δ+a+T=1  式中：η= ib/ip 为背散射系数； δ= is/ip 为二次电子发射系数； a = ia/ip 为吸收系数； T = it/ip 为透射系数。;扫描电镜 由??子光学系统，扫描系统,信号收集处理、图像显示和 记录系统，真空系统，电源系统五部分组成 (1)电子光学系统（镜筒） 由电子枪、聚光镜、物镜和样品室 等部件组成。 扫描电镜一般有三个聚光镜： 前两个透镜是强透镜，用来缩小电子束光斑尺寸。 第三个聚光镜是弱透镜，具有较长的焦距，在该透镜下方放置样品可避免磁场对电子轨迹的干扰。 ;;; 常见的电子收集器由三部分组成：　闪烁体：收集电子信号 ，　光导管：然后成比例地转换成 光 信号，　光电倍增管：经放大后再转换成 电信号 输出(增益达106)，作为扫描像的调制信号。;4. 扫描电镜的主要性能;人类红细胞;酵母;5.扫描电子显微镜的几种电子像分析;二次电子成像原理 二次电子形貌衬度及特点 ; 样品表面和电子束相对位置与二次电子产额之间的关系;二次电子形貌衬度及特点;断口分析;SPEEK/HPA复合膜金像表面;背散射电子成像 吸收电子的成像;一、背散射电子成像;一、背散射电子成像;一、背散射电子成像;一、背散射电子成像;一、背散射电子成像;背散射电子像的衬度特点：;应用： 1．定性分析物相 2．显微组织观察 3．其它应用（背散射电子衍射花样、电子通道花样等用于晶体学取向测定） ;二、吸收电子成像;二、吸收电子成像;  透射电子显微镜（TEM） Transmission Electron Microscope  ;1.透射电镜简介;现代透射电镜的发展水平 目前世界上生产透射电镜的厂家主要有：日本电子、日立和美国菲利普公司。所产的透射电镜可粗略分为： 常规透射电镜：加速电压 100-200 kV; 中压透射电镜：加速电压 300-400 kV； 高压透射电镜：加速电压 1000 kV。 ;2. 透射电镜的结构组成 ; ;2. 透射电镜的结构组成 ;2. 透射电镜的结构组成 ;2. 透射电镜的结构组成 ;2. 透射电镜的结构组成