医用传感器课程学习.pptxVIP

（一）霍尔效应;静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为;RH则被定义为霍尔传感器的霍尔系数； KH为霍尔元件的灵敏度。 ;霍尔元件 ;（二）霍尔元件的电磁特性;　② UH -B 特性当控制电流一定时，霍尔元件的开路输出随磁感应强度的增加并不是完全成线性关系，只有当B小于 0.5T 时， UH –B 的线性度才比较好。 ; ③ R -B 特性R -B特性是指霍尔元件的输入（或输出）电阻与磁场之间的关系，霍尔元件的内阻随磁场的绝对值增加而增大，这种现象称磁阻效应。 ;(二)霍尔元件的误差和补偿; 除工艺上尽量使霍尔电极对称来降低U0，还需采用补偿电路加以补偿。下图给出几种常用的补偿方法。通常在某一桥臂上并上一定电阻而将U0降到最小，甚至为零。;2、寄生直流电势 当霍尔元件通以交流控制电流而不加外磁场时，霍尔输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势分量，称寄生直流电势。 3、感应零电势 霍尔元件在交流或脉动磁场中工作时，即使不加控制电流，霍尔端也会有输出，这个输出就是感应零电势。它是由于霍尔电极的引线布置不合理而造成的。 4、自激场零电势 当霍尔元件通以控制电流时，此电流也会产生磁场，该磁场称为自激场。;(二)霍尔元件的温度误差及其补偿;t0 时;(2)利用输出回路的负载进行补偿 右图是输出补偿的基本线路。输出电阻及霍尔电压与温度之间的关系为 ;霍尔位移传感器; 当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化，这种现象称为磁阻效应。;电阻率的相对变化;磁阻元件的主要特性;2. 电阻 — 温度特性;磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I。本征区I的一面磨成光滑的无复合表面（I区），另一面打毛，设置成高复合区（r区)。;当磁敏二极管末受到外界磁场作用时，外加正向偏压后，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量电子注入P区，形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。;当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，形成的电流因复合而减小，电阻增大。;当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区的对面偏移，由于电子和空穴复合率明显变小，因此，电流变大，电阻减小。 ;利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流发生变化，于是就实现磁电转换。; （三）磁敏二极管的主要特性;2.伏安特性：磁敏二极管正向偏压和通过其电流的关系。 不同磁场强度H作用下，磁敏二极管伏安特性不同 当所加偏压一定时，磁场按正方向增加时，二极管电阻增加，电流减小。 在同一磁场下，电流越大，输出电压越大。;3.温度特性：在标准测试条件下，输出电压变化量随温度的变化。 温度升高时，电流急增，电压减少，磁灵敏度下降，须采用温度补偿。;温度补偿电路;采用两支性能接近的磁敏二极管，按相反磁极性组合，即将它们的磁敏面相对或背向放置，温度无论如何变化，两管的分压比不会发生变化，输出电压则不随温度变化。 同时由于两管互补，当磁场变化时，输出电压变化量增加，能提高灵敏度。;不仅能很好的实现温度补偿，提高灵敏度。 电路如不平衡，可以适当调整桥臂电阻的大小。;采用两个互补电路并联的方法实现，温度特性、对称性、灵敏度都好，但是需要寻找4个性能相近的磁敏二极管。;1. 磁敏三极管的结构与工作原理;当磁敏三极管末受磁场作用时，由于基区宽度大于载流子有效扩散长度，大部分载流子通过e-I-b形成基极电流，少数载流子输入 到c极。因而形成基 极电流大于集电极 电流的情况，使β＜l。; 当受到正向磁场(H+)作用时，由于磁场的作用，洛仑兹力使载流子偏向发射结的一侧，导致集电极电流显著下降，当反向磁场(H-)作用时，在H-的作用下，载流子向集电极一侧偏转，使集电汲电流增大。;图7-25 磁敏三极管工作原理;与普通晶体管的伏安特性曲线类似。由图可知，磁敏三极管的电流放大倍数小于1。;(2) 磁电特性;(3) 温度特性及其补偿;具体补偿电路如图所示。 当温度升高时，V1管集 电极电流IC增加．导致 Vm管的集电极电流也增 加，从而补偿了Vm管因 温度升高而导致IC 的下降。;利用锗磁敏二极管电流随温度升高而增加的特性，使其作为硅磁敏三极管的负载，从而当温度升高时，可补偿硅磁敏三极管的负温度漂移系数所引起的电流下降。;下图是采用两只特性一致、磁极相反的磁敏三极管组成的差动电路。这种电路既可以提高磁灵敏度，又能实现温度补偿，它是一种行之有效的温度补偿电路。;;霍尔元件的测量电路;谢谢您的观看！;内容总结