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本发明提供一种沟槽隔离结构的制作方法以及一种半导体器件。所述制作方法对于基片上较窄的一类沟槽和较宽的二类沟槽，先用牺牲层覆盖在预处理基片的上表面以及一类沟槽上并露出二类沟槽，在形成第一填充介质并进行第一平坦化工艺时，利用牺牲层作为终止层去掉牺牲层上的第一填充介质，然后去除牺牲层，在形成第二填充介质时，由于保留在二类沟槽内的第一填充介质抬高了二类沟槽的底表面，所述第二填充介质位于二类沟槽区域的上表面高于其位于一类沟槽区域的上表面，在执行第二平坦化工艺时，二类沟槽区域的研磨量较一类沟槽区域大，可以改
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111430294 A
(43)申请公布日
2020.07.17
(21)申请号 20201
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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