晶体管放大器的设计与仿真.pptxVIP

晶体管放大器的设计与仿真 一、实验目的 学习晶体管放大电路的设计方法； 熟悉用Multisim2001软件对电路进行模拟仿真； 了解负反馈对放大电路性能的影响。 第一页，共二十五页。 二、设计任务 单级阻容耦合晶体管放大器设计 已知条件 VCC=+12V RL=3k Vi=10mV(有效值) RS=600 技术指标要求 AV＞40 Ri＞1k Ro＜3k fL＜100Hz fH＞100kHz 电路稳定性好。 第二页，共二十五页。 三、设计步骤 修改电路方案 修改电路参数 是否要修改电路方案 N N Y 第三页，共二十五页。 二、设计任务 已知条件 VCC=+12V RL=3k Vi=10mV(有效值) RS=600 技术指标要求 AV＞40 Ri＞1k Ro＜3k fL＜100Hz fH＞100kHz 电路稳定性好。 第四页，共二十五页。 四、 拟定电路方案 选择电路形式 考虑到电压增益要求，采用分压式射极偏置电路，并可获得稳定的静态工作点。 问：如果其它要求不变，只是输出阻抗Ro≤100Ω ，采用何种电路？ 输出电阻比较小，所以输出级应采用射极跟随器或引入电压负反馈，而射极跟随器无电压增益，故可采用两级放大电路的设计 。 第五页，共二十五页。 工作原理 电路的Q点稳定， Q点主要由RB1、RB2、RE、RC及+VCC所决定。 温度T   IC  IE IC  VE、VBQ不变  VBE   IB （反馈控制） 若I1 IBQ ， VBQ VBE 第六页，共二十五页。 工作点稳定的必要条件： I1IBQ ，VBQVBE 一般取 RE愈大，直流负反馈愈强，电路的稳定性愈好。一般 第七页，共二十五页。 电路参数的确定： VEQ = (0.2~0.5)VCC RC由RO或AV确定： RC ≈ RO 或 RC 设计小信号放大器时，一般取 ICQ = (0.5~2)mA， 第八页，共二十五页。 上限频率fH主要受晶体管结电容及电路分布电容的限制，下限频率 fL主要受耦合电容CB、CC及射极旁路电容CE的影响 如果放大器下限频率fL已知，可按下列表达式估算电容CB、CC和CE： 通常取CB = CC，用上面两式算出电容值，取较大的作为CB（或CC）。 第九页，共二十五页。 电路参数的确定： 选择晶体管 因放大器上限频率fH100 kHz，要求较高，故选用高频小功率管3DG6，其特性参数 ICM=20mA，V(BR)CEO≥20V， fT ≥ 150MHz 通常要求ß 的值大于AV的值，故选 ß=60 第十页，共二十五页。 设置Q点并计算元件参数 要求Ri1kΩ，而 取ICQ = 1.5 mA 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 若取VBQ = 3V，得 取标称值，RE=1.5 kW 第十一页，共二十五页。 设置Q点并计算元件参数 因 , 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 在安装实际电路时，为使静态工作点调整方便，RB1由30kW固定电阻与100kW电位器相串联而成。 第十二页，共二十五页。 设置Q点并计算元件参数 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 综合考虑，取标称值，RB＝1.5 kW。 因 ICQ＝1.5mA， 第十三页，共二十五页。 设置Q点并计算元件参数 计算电容为： 取标称值，CC = CB = 10mF 取标称值，CE = 100mF 第十四页，共二十五页。 画出电路带参数的电路图 根据上述设计，得到放大器的电路图如下： 第十五页，共二十五页。 16 Q点设置是否合适？ （1）给放大器送入规定的输入信号，如Vi=10mV，fi = 1kHz的正弦波。 （2）用示波器观察放大器的输出vo无失真。 （4）此时移去信号源，分别测量放大器的静态工作点VBQ、VEQ、VCQ，并计算VCEQ 、ICQ。 （3）略增大输入信号， vo无明显失真，或者逐渐增大输入信号时， vo顶部和底部差不多同时开始畸变，说明Q点设置得比较合适。 第十六页，共二十五页。 17 六、主要性能指标及其测试方法 晶体管放大器的主要性能指标有 电压放大倍数AV 输入电阻Ri 输出电阻Ro 通频带BW＝fH－fL 注意：维持输入信号的幅值不变且输出波形不失真 第十七页，共二十五页。 18 六、主要性能指标及其测试方法 2、输入电阻Ri 理论计算 实验测试 串联一个已知电阻R 在输出波形不失真情况下，用晶体管毫伏表或示波器，分别测量出Vi与Vs的值，则 第十八页，共二十五页。 19 六