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- 2023-02-16 发布于四川
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本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长导向装置,包括生长坩埚、籽晶和保温装置,所述生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖,所述坩埚本体限定出顶部敞开的原料腔,所述坩埚盖设于所述坩埚本体的顶部,所述坩埚盖的内壁上设有用于固定籽晶的籽晶固定件;所述籽晶设于所述籽晶固定件上;所述保温装置设于所述坩埚本体内靠近所述籽晶的位置,所述保温装置为氧化锆陶瓷环,所述氧化锆陶瓷环的内径在轴向方向上自下而上逐渐增大,所述氧化锆陶瓷环的顶部与所述籽晶间存在间隙。本实用新型能够改善碳化硅晶体在生长过程中容易产生缺陷的问题,提升产品的
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218478822 U
(45)授权公告日 2023.02.14
(21)申请号 202222701328.9
(22)申请日 2022.10.13
(73)专利权人 江苏集芯半导体硅材料研究院有
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