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本实用新型公开一种ipd宽通带高通滤波器，包括有保护层、砷化镓基板、接地底板和接地铜柱，所述砷化镓基板的上表面设有电路主体，所述电路主体叠层在所述保护层与砷化镓基板之间，所述接地铜柱贯穿所述砷化镓基板，将所述电路主体与所述接地底板相连接，所述输入端口和输出端口的顶部裸露于所述保护层上。该滤波器利用薄膜IPD工艺在砷化镓材料的基板上实现，具有集成度高、带内插损小、小型化、宽通带的特点，满足特定的无线通信系统的应用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212648439 U
(45)授权公告日 2021.03.02
(21)申请号 202021219415.5
(22)申请日 2020.06.28
(73)专利权人 昆明理工大学
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